65纳米/55纳米
65纳米/55纳米
技术简介
中芯国际65纳米/55纳米逻辑技术具有高性能，节能的优势，可以增加先进技术成本的优化及设计成功的可能性。此65纳米/55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V，2.5V和3.3V的元件，而形成一个弹性的制程设计平台。此技术的设计规则、规格及SPICE模型已完备。55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。
特点
55/65纳米工艺组件选择:
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标准工艺组件选择 |
55 纳米低漏电器件 |
65 纳米低漏电器件 | ||||||||||||||||
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核心器件 （1.2V） |
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输入输出器件 |
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内存 |
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应用产品
中芯国际55纳米逻辑产品主要面向高性能、低功耗的应用场景，如移动应用和无线应用。
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移动应用
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无线应用
其他工艺技术
