绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
技术简介
IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件，具有高输入阻抗，低导通压降，驱动电路简单，开关速度快，电流密度大等优点。
中芯集成电路制造（绍兴）有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从2015年开始建立，着眼于最新一代场截止型（Field Stop）IGBT结构，采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+场截止（Field-Stop）技术工艺的自主研发，并相应推出600V~1200V等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。
特点
应用产品
可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。
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工业变频
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白色家电
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轨道交通
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电动汽车
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智能电网
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电力发电
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太阳能
特殊工艺
其他工艺技术
