90纳米
技术简介
中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产，中芯国际拥有丰富的制程开发经验，可向全球客户提供成熟稳定的90纳米技术服务。中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化，为客户未来技术的提升提供附加的资源。此外，我们的90纳米技术可以为客户量身定做， 达到各种设计要求，包括高速，低耗，混合信号，射频以及嵌入式和系统集成等方案。
在90纳米技术上，中芯向客户提供生产优化的方案，以期竭尽所能地为客户产品的性能的提升，良率的改善和可靠性的保证提供帮助。对于90纳米相关的单元库，IP及输入/输出接口等可通过我司的合作伙伴获得。
特点
工艺组件选择
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标准工艺组件选择 |
90纳米低漏电器件(1.2V) |
90纳米低漏电器件(1.0V) | ||||||||||||||
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应用产品
中芯国际90纳米技术可以满足多种应用产品如无线电话，数字电视，机顶盒，移动电视，个人多媒体产品，无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗，卓越性能及高集成度的要求。
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无线电话
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数字电视
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机顶盒
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移动电视
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个人
多媒体产品 -
无线网络
0.13/0.11微米
技术简介
和0.15微米器件的制程技术相比，我们的0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。
中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术，从而在达到高性能设备的同时，实现成本的优化。中芯的 0.13 微米技术工艺使用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路，能够制作核心电压为 1.2V 以及输入 / 输出电压为 2.5V 或 3.3V的组件。我们的高速、低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中
中芯国际可以提供0.13/0.11微米的单元库，内存编译器，输入输出接口和模拟IP。
特点
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0.13 微米/0.11微米铜工艺平台
工艺组件选择
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0.13 微米
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0.11微米
应用产品
中芯国际在0.13/0.11微米技术节点上可提供低成本的闪存控制器、媒体播放器和其他各种应用产品。
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闪存控制器
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媒体播放器
0.15微米
技术简介
中芯国际0.15微米工艺技术包括逻辑、混合信号，高压，BCD，并提供广泛的单元库和IP的支持。
特点
应用产品
中芯国际在 0.15 微米技术节点上可提供低成本的移动/消费应用和汽车和工业应用产品。
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移动/消费应用
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汽车
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工业
0.18微米
技术简介
中芯国际的0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外，它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。
此工艺采用 1P6M（铝）制程，特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达100,000门以及有1.8V、3.3V和5V三种不同电压，供客户选择。
我们的 0.18 微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、带电可擦除只读存储器以及OTP等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
特点
应用产品
中芯国际在 0.18 微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。
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消费电子产品
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智能卡
0.25微米
技术简介
中芯国际的0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率，适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。我们同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。
特点
应用产品
中芯国际提供成本优化及通过验证的0.25微米工艺解决方案，可应用于多个领域。
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射频
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无线设备
0.35微米
技术简介
我们的0.35微米制程技术包括逻辑电路，混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
应用产品
中芯国际提供成本优化及通过验证的0.25微米工艺解决方案，可应用于多个领域。
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智能卡
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消费电子产品
其他工艺技术
